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IT之家 8 月 9 日消息，SK 海力士今日宣布，通過 321 層 4D NAND 樣品的發(fā)布，正式成為業(yè)界首家正在開發(fā) 300 層以上 NAND 閃存的公司。

SK 海力士宣布，將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。

IT之家附 SK 海力士 321 層 1Tb TLC NAND 介紹如下：

321 層 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 層 512Gb 提高了 59% 。這是由于數(shù)據(jù)存儲的單元可以以更多的單片數(shù)量堆棧至更高，在相同芯片上實現(xiàn)更大存儲容量，進而增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。

此外，SK 海力士還推出了針對這些需求而進行優(yōu)化的下一代 NAND 產(chǎn)品解決方案：采用 PCIe 5 (Gen5) 接口的企業(yè)級固態(tài)硬盤 (Enterprise SSD, eSSD) 及 UFS 4.0。

SK 海力士還表示，公司在目前積累的產(chǎn)品技術(shù)和不斷優(yōu)化企業(yè)內(nèi)部解決方案的基礎(chǔ)上，正在積極開發(fā)下一代 PCI 6.0 和 UFS 5.0 產(chǎn)品，以致力于在未來繼續(xù)引領(lǐng)市場。

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